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透过施加电场在磁性记忆储存材料
日本的科学家发现，透过施加电场在磁性记忆储存材料，可以降低写入资料时需要施加的磁场。这项发现，有可能被应用在制造超高密度的内存上。
在计算机及相关的外围产品逐渐微小化的趋势下，作为内存储存的磁性材料 研究，也走向高密度的方向。然而，由于密度的提高，在单位体积/面积上所需要进行资料位储存的磁场，也随之提高。磁性材料厂 而因为高磁场的产生有技术上的困难，使得高密度磁性材料的应用，面临了限制与瓶颈。在本期的ScienceExpress中，日本东北大学大野实验室(注)的Daichi Chiba，发表了利用施加电场，可以降低存取资料所需磁场大小的研究结果。
Daichi等人的实验，是先在搀有锰(Mn)金属而具铁磁性的砷化铟(InAs) 上，镀上一薄层绝缘体与金属电极，然后再通过电极对砷化铟施加电场。他们发现，当施加1.5MV/cm的电场时，所需要改变磁矩极性(进行资料写入)的磁场大小，是未加电场时的五分之一。这个发现，使得高密度磁性材料的研究，又出现了一线希望。不过，计划主持人Hideo Ohno表示，由于他们的实验是在绝对温度30K的低温下进行，其发现仅能算是初步证实施加电场的可行性。如果要谈到实际应用方面，还得以在室温下进行的实验来验证。
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